半导体指标平整度试验

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.整体平整度：全局平整度，最大高度差，基准面偏差，表面整体起伏量。

2.局部平整度：局部区域平整度，微区高度波动，局部峰谷差，区域面形偏移。

3.翘曲变形：翘曲量，弯曲方向，中心偏移，边缘抬升程度。

4.厚度均匀性：厚度分布，厚度偏差，区域厚薄差，厚度一致性。

5.表面轮廓特征：表面轮廓曲线，轮廓峰值，轮廓谷值，轮廓波动趋势。

6.面形误差：面形偏差，基面拟合误差，平面度误差，曲面偏离量。

7.边缘区域状态：边缘塌陷，边缘卷曲，边缘高度差，边缘平整状态。

8.微观起伏特性：微观不平度，表面微凸点，微凹陷分布，微区形貌变化。

9.多点高度分布：测点高度值，高度离散性，高度极差，区域分布均衡性。

10.叠层界面平整性：层间平整度，沉积层面形，覆膜后表面起伏，界面高度一致性。

11.基板承载面状态：承载面平整度，接触面高度差，装夹面变形，支撑面一致性。

12.加工后形变：切割后变形，研磨后平整度变化，抛光后面形变化，热处理后翘曲。

检测范围

硅片、外延片、抛光晶圆、减薄晶圆、化合物半导体晶圆、芯片裸片、封装基板、载板、陶瓷基板、玻璃基板、引线框架、功率器件基片、薄膜沉积片、绝缘衬底、晶圆级封装片、互连基板、探针测试片、键合片

检测设备

1.平整度测量仪：用于测定样品整体平整状态和面形偏差，适合快速获取表面高度分布数据。

2.白光干涉仪：用于测量表面微观形貌和高度起伏，可实现高分辨率三维表面分析。

3.激光共聚焦测量仪：用于获取局部区域表面轮廓和微区平整特征，适用于精细形貌观察。

4.轮廓测量仪：用于扫描样品表面轮廓曲线，分析峰谷差、面形变化及边缘状态。

5.光学显微镜：用于辅助观察表面缺陷、局部不平区域及测点位置形貌特征。

6.三维形貌测量仪：用于建立样品表面三维高度模型，评估整体与局部平整度分布。

7.测厚仪：用于测定样品厚度及厚度均匀性，为平整度与厚度关联分析提供数据。

8.精密位移测量装置：用于高灵敏度测量高度变化和微小位移，适合翘曲与变形分析。

9.真空吸附平台：用于固定薄片类样品，减少测试过程中的外界干扰和装夹形变影响。

10.恒温恒湿环境装置：用于控制测试环境条件，降低温湿度变化对平整度测量结果的影响。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质